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三星申请半导体器件专利可实现在相同高度处的

2024-04-17

  专利摘要显示,一种半导体器件包括在基板上的单元下导电线和外围下导电线、在单元下导电线上的下电极接触、在外围下导电线上的外围导电接触、在下电极接触上彼此水平地间隔开的可变电阻图案。下电极接触分别连接到可变电阻图案。外围导电线在外围导电接触上与可变电阻图案水平地间隔开。外围导电接触连接到外围导电线。单元下导电线和外围下导电线分别连接到下电极接触和外围导电接触。单元下导电线和外围下导电线在相同的高度处。彼此直接相邻的单元下导电线的节距比彼此直接相邻的外围下导电线的节距更大。

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